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中心设施
仪器设备

 

  • 设备用途:

用于纳米器件的微纳加工,满足纳米材料(器件)的精细加工,便于研究纳米材料的特殊物性。

扫描电镜主要用于样品的表面形貌的成像。通过电子枪发射的电子束在样品上扫描,入射电子与样品之间相互作用,从样品中激发出二次电子,二次电子探测器收集二次电子信号,显示出样品表面的形貌信息。图型发生器ELPHY Plus作为扫描电镜的附件,通过扫描电镜预留的专用外部接口连接在扫描电镜中,获取电镜的信号,控制扫描电镜中电子束的扫描轨道、扫描方式、停留时间、电子束通断、工作台运动轨迹等,以实现借用电镜的电子束来进行曝光的目的,扩展了电镜的功能,即在样品表面曝光出纳米机构,用于微纳米器件的研究。

型号: Quanta 250FEG

  • 性能参数:
  1. 二次电子 (SE) 成像分辨率:
  • 高真空模式:30kV 1.0 nm1kV 3.0 nm
  • 低真空模式:30kV 1.4 nm3kV 3.0 nm
  • 环境真空模式 (ESEM)30kV 1.4nm
  1. 背散射电子 (BSE) 成像
  • 高真空模式:30kV 2.5 nm
  1. 放大倍数
  • 高真空模式下:6x – 1,000,000x
  • 放大倍数误差:≤ 3%
  1. 加速电压: 200 V - 30 kV
  2. 电子枪: Schottky 肖特基场发射电子枪
  3. 最大束流: 200 nA
  4. 工作台:4轴马达台,全对中样品台,保留5轴手动样品控制,可进行手动调节
  • 工作台运动行程:X=50 mm, Y = 50 mm, Z = 50 mm
  • 工作台倾斜:–15° to +75°,并且可实现连续旋转 360°
  • 工作台重复精度:2 µm (X/Y方向)
  1. 图形发生器直写速度为12MHz,最小停留时间为84ns,最小停留时间增量为1ns
  2. 电子束曝光时,写场可在 0.5um x 0.5um ~ 2mm x 2mm 之间任意设定

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