仪器设备
- 设备用途：
用于纳米器件的微纳加工，满足纳米材料（器件）的精细加工，便于研究纳米材料的特殊物性。
扫描电镜主要用于样品的表面形貌的成像。通过电子枪发射的电子束在样品上扫描，入射电子与样品之间相互作用，从样品中激发出二次电子，二次电子探测器收集二次电子信号，显示出样品表面的形貌信息。图型发生器ELPHY Plus作为扫描电镜的附件，通过扫描电镜预留的专用外部接口连接在扫描电镜中，获取电镜的信号，控制扫描电镜中电子束的扫描轨道、扫描方式、停留时间、电子束通断、工作台运动轨迹等，以实现借用电镜的电子束来进行曝光的目的，扩展了电镜的功能，即在样品表面曝光出纳米机构，用于微纳米器件的研究。
型号： Quanta 250FEG
- 性能参数：
- 二次电子 (SE) 成像分辨率：
- 高真空模式：30kV 时 1.0 nm；1kV 时 3.0 nm
- 低真空模式：30kV 时 1.4 nm；3kV 时 3.0 nm
- 环境真空模式 (ESEM)：30kV 时 1.4nm
- 背散射电子 (BSE) 成像
- 高真空模式：30kV 时 2.5 nm
- 放大倍数
- 高真空模式下：6x – 1,000,000x
- 放大倍数误差：≤ 3%
- 加速电压: 200 V - 30 kV
- 电子枪: Schottky 肖特基场发射电子枪
- 最大束流: 200 nA
- 工作台：4轴马达台，全对中样品台，保留5轴手动样品控制，可进行手动调节
- 工作台运动行程：X=50 mm, Y = 50 mm, Z = 50 mm
- 工作台倾斜：–15° to +75°，并且可实现连续旋转 360°
- 工作台重复精度：2 µm (X/Y方向)
- 图形发生器直写速度为12MHz，最小停留时间为84ns，最小停留时间增量为1ns
- 电子束曝光时，写场可在 0.5um x 0.5um ~ 2mm x 2mm 之间任意设定
