石墨烯纳米带的本征迁移率

    石墨烯是零带隙半导体材料(又称半金属),它的一个突出优点是具有非常高的载流子迁移率。为了将石墨烯应用于新一代电子学,通常需要在石墨烯材料中将带隙打开。但是,带隙的打开往往会导致迁移率的下降。因此,如何兼顾带隙与迁移率,就成为石墨烯研究的一个重要问题。最近,我们对石墨烯纳米带的迁移率性质进行研究,导出本征迁移率的一个解析公式,不但很好地说明了第一性原理计算的结果,并且预言了应变导致的输运极性的翻转。

 

    该研究成果以封面文章的形式发表在Journal of Chemical Physics上:Jinying Wang, Ruiqi Zhao, Mingmei Yang, Zhongfan Liu*, and Zhirong Liu (2013) Inverse relationship between carrier mobility and band gap in graphene. J. Chem. Phys. 138, 084701/1-5. 论文第一作者为77779193永利集团直博生王进莹(2014届毕业生,导师刘志荣)。

 


文章链接:Jinying Wang, Ruiqi Zhao, Mingmei Yang, Zhongfan Liu*, and Zhirong Liu*. Inverse relationship between carrier mobility and band gap in graphene. J. Chem. Phys. 138, 084701 (2013). (封面文章)